?蝕刻所需的設(shè)備主要包括濕法蝕刻設(shè)備和干法蝕刻設(shè)備。?

一、濕法蝕刻設(shè)備
濕法蝕刻設(shè)備使用化學(xué)溶液去除材料，具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高的優(yōu)勢(shì)。常見的濕法蝕刻設(shè)備包括：

?1.晶圓片清洗設(shè)備?：用于清洗晶圓片，去除顆粒、有 機(jī)物、自然氧化層、金屬雜質(zhì)等污染物。

2.?晶圓片刷洗設(shè)備?：主要用于去除晶圓片表面的顆粒。

3.?晶圓片刻蝕設(shè)備?：用于去除薄膜?。

二、干法蝕刻設(shè)備
干法蝕刻設(shè)備使用氣體或等離子體進(jìn)行刻蝕，適用于先 進(jìn)制程的小特征尺寸精細(xì)刻蝕。常見的干法蝕蝕設(shè)備包括：

1.?等離子體刻蝕機(jī)?：基本部件包括反應(yīng)腔、射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)和真空系統(tǒng)。常用的化學(xué)氣體有氟用于刻蝕二氧化硅，氯和氟用于刻蝕鋁，氯、氟和溴用于刻蝕硅，氧用于去除光刻膠?。

2.?離子束刻蝕機(jī)?：具有較強(qiáng)方向性，適用于小尺寸圖形的各向異性刻蝕?。