蝕刻是從材料表面去除材料的過程。蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻）。涉及使用液體化學藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻。在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料。干蝕刻會產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物，這些產(chǎn)物應擴散到大量氣體中并通過真空系統(tǒng)排出。干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學反應（通過使用反應性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動量傳遞）以及化學反應和物理去除的組合。另一方面，濕蝕刻僅是化學過程。

干法刻蝕（等離子刻蝕）和濕法刻蝕的優(yōu)缺點

濕法刻蝕工藝的優(yōu)點是設備簡單，刻蝕速率高，選擇性高。但是，有許多缺點。濕蝕刻通常是各向同性的，這導致蝕刻劑化學物質(zhì)去除了掩膜材料下方的基板材料。濕蝕刻還需要大量的蝕刻劑化學物質(zhì)，因為基底材料必須被蝕刻劑化學物質(zhì)覆蓋。此外，必須一致地替換蝕刻劑化學物質(zhì)，以保持相同的初始蝕刻速率。結(jié)果，與濕蝕刻有關的化學和處理成本非常高。

干蝕刻的一些優(yōu)點是其自動化能力和減少的材料消耗。與濕法蝕刻相比，干法蝕刻（例如，等離子蝕刻）的成本更低。純化學干法蝕刻的一個例子是等離子體蝕刻。純化學蝕刻技術（特別是等離子蝕刻工藝）的缺點是它們不具有較高的各向異性，因為反應物質(zhì)可以在任何方向上反應并且可以從掩膜材料下方進入。各向異性是指僅在一個方向上進行蝕刻。當只需要在垂直方向上去除材料時，此屬性很有用，因為不會去除被掩膜材料覆蓋的材料。在各向異性至關重要的情況下，可以使用僅使用物理去除或物理去除和化學反應相結(jié)合的干法蝕刻技術。這是因為它們沒有很高的各向異性，因為反應物種可以在任何方向發(fā)生反應，并且可以從掩膜材料下方進入。各向異性是指僅在一個方向上進行蝕刻。當僅需要在垂直方向上去除材料時，此屬性很有用，因為不會去除被掩膜材料覆蓋的材料。

希望這篇文章能幫到您，產(chǎn)品咨詢可聯(lián)系我們（電話0572-6291199 或網(wǎng)站http://www.ty3227.com/）